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第393章 产业布局(二)
方叶向总理和李副总理讲述起了新中国半导体事业的发展历程，曾经我们的科学家们在无比艰难的条件下努力发展，使得我国半导体事业获得了快速的进步，并取得一系列成绩:1957年制造出第一根锗单晶，并于同年成功研制出锗合金晶体管，为晶体管计算机奠定了基础，有力的支持了国防军工的发展;1958年就成功的制造出了硅晶圆，新中国半导体工业进入了硅时代;1963年制造出超小型硅平面高速开关管和高频晶体管的样管，体积只有火柴头那么大，新中国半导体在微电子领域取得了重大进步，其技术水平与美国缩小到了三年以内;1964年硅管体积进一步缩小到了芝麻大小，我国正式开启半导体微电子元器件应用时代，在该领域我国与美国的水平基本不相上下;1965年成功的制造出了第一块集成电路，仅比美国晚了七年，与日本相当早于韩国;同年中国科学院研制出65型接触式光刻机;1970年代我国开始了光掩膜版的研制，仅仅几年之后，到了1980年新中国第一台第四代光掩膜接触式光刻机成功下线，精度达到3ym，达到了世界水平，与国际主流水平一致。
然而一切到此戛然而止。
听着方叶讲述''''夏然而止''''便停了下来，李副总理便问道:“按照发展历程，我国在半导体领域取得了可喜的成绩，无论比日本、南朝鲜、台湾都要进步，是什么原因导致后来落后了呢?"方叶长吁了一气，叹息道:“到了70年代末80年代初，美国将半导体技术转移到了日本、台湾和南朝鲜，使得这些国家的技术飞速进步，比如台湾，其在半导体领域的水平落后内地十年，但随着美国的技术转移水平一下子就上来了。
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